IXTU02N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения

 

Блок-схема

IXTU02N50D, Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 30000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 30000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 30000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 30000
RDS(ON) 10 В,мОм 30000
ID 0.2
PD,Вт 25
Корпус TO-251

Общее описание

Datasheet
 
IXTP02N50D, IXTU02N50D, IXTY02N50D (94.3 Кб), 20.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTP02N50D, IXTU02N50D, IXTY02N50D High Voltage MOSFET (94.3 Кб), 20.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 611 Дата публикации: 20.02.2009 12:28
Дата редактирования: 20.01.2012 16:06


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019