Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFN360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 310 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFN300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 295 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFN210N20P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 188 | 1070 |
|
|
IXFN420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 420 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFH50N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 50 | 1040 |
|
|
IXFQ50N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 50 | 1040 |
|
|
IXFH60N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 60 | 1040 |
|
|
IXFQ60N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 60 | 1040 |
|
|
IXFK140N30P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 140 | 1040 |
|
|
IXFT60N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 60 | 1040 |
|
|
IXTX210P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | -210 | 1040 |
|
|
IXTK210P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | -210 | 1040 |
|
|
IXTK140N30P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 140 | 1040 |
|
|
IXFN100N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 49 | 49 | 49 | 49 | 49 | 90 | 1040 |
|
|
IXFX80N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | 80 | 1040 |
|
|
IXFK80N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | 80 | 1040 |
|
|
IXFN60N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 53 | 1040 |
|
|
IXFX140N30P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 140 | 1040 |
|
|
IXTK200N10L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 200 | 1040 |
|
|
IXTX200N10L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 200 | 1040 |
|