IXFN300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFN300N10P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 5.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 5.5
RDS(ON) 2,5 В,мОм 5.5
RDS(ON) 4.5 В,мОм 5.5
RDS(ON) 10 В,мОм 5.5
ID 295
PD,Вт 1070
Корпус SOT-227

Общее описание

Datasheet
 
IXFN300N10P (120.2 Кб), 05.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFN300N10P Polar Power MOSFET HiperFET (120.2 Кб), 05.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 705 Дата публикации: 05.02.2009 15:19
Дата редактирования: 10.01.2012 08:49


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019