Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTN17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
|
IXTA2R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2.4 | 125 |
|
|
IXFH16N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 16 | 660 |
|
|
IXTX17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
|
IXTP1R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 1.4 | 86 |
TO-220 |
|
IXFT16N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 16 | 660 |
|
|
IXTK17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
|
IXTA1R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 13000 | 1.4 | 86 |
|
|
IXFH6N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 6 | 250 |
|
|
IXTP1N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 1 | 63 |
TO-220 |
|
IXFA6N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 6 | 250 |
|
|
IXTA1N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 1 | 63 |
|
|
IXFP6N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 6 | 250 |
TO-220AB |
|
IXTH13N110 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 920 | 920 | 920 | 920 | 920 | 13 | 360 |
|
|
IXFB40N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 | 40 | 1250 |
|
|
IXFN36N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 36 | 1000 |
|
|
IXFN40N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 | 34 | 890 |
|
|
IXFX30N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 360 | 360 | 360 | 360 | 360 | 30 | 960 |
|
|
IXFK30N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 360 | 360 | 360 | 360 | 360 | 30 | 960 |
|
|
IXFL36N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 | 26 | 520 |
|