IXFH50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFH50N60P3, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 600
RDS(ON) 1.8 В,мОм 145
RDS(ON) 2,7 В,мОм 145
RDS(ON) 2,5 В,мОм 145
RDS(ON) 4.5 В,мОм 145
RDS(ON) 10 В,мОм 145
ID 50
PD,Вт 1040
Корпус TO-247

Общее описание

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFx50N60P3 (167.5 Кб), 13.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx50N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (167.5 Кб), 13.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 896
Дата публикации: 13.01.2012 13:42
Дата редактирования: 13.01.2012 13:43


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019