Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| NAND01GW4A2B | 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS78108A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| S30MS04GR | 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
| M48T37V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51216ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| MTFDDAK128MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 128 ГБ |
|
Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - |
| AT25020A | Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 2К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62157EV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IDT72V05L25JI | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| KFN4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| DS2050W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62S16128B-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
| AT25DF641A | 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M25PE40 | 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS62WV10248BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT26DF321 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 32 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 SOIC-8 VDFN-8 |
