Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| A63L9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Kх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 3.1 ... 3.5 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
| MR2A08AM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61LV256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| A67P9318 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| A63L93361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Kх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| MR2A08AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| HM6216514I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV8016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| A67L93181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IS61WV51232ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| DS1251Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| IS61LPD51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| DS1747W | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| IS61NVF51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
