Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CAT24AA04 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 4Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
512 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS61WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| AT25080A | Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 8К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
8 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M5M5W816WG-70H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| IS61VPS102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62158E | Статическая память объемом 8Mb (1M x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| DS2045Y | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M45PE10 | 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| AT26F004 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 4 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
| K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
| IS61NVVP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 1.71 ... 1.89 | -40 ... 85 |
|
| AS7C31026C | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| DS1350Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
