Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFH4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
DS2045W | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S2048A-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
|
AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
AT45DB021B | 2 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® | Atmel Corporation |
DataFlash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-28 SOIC-8 |
|
K9F1G08U0B | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS61NLP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
AS7C32098A | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
DS1230W | Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб и напряжением питания 3.3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
|
IS61C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AT24C04B | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 | Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
|
CY7C4285V–15ASXI | Синхронная FIFO организацией 64K x 18, 15 нс, -40°C...+85°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-64 |
|
NAND01GW3B2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
GS78132A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (256K x 32) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|