Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IS62WV51216ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV1611 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS62VV25616LL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.7 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV8001 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
MR1A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит | Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
BS616UV1010 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS64WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
IS61WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
MR0A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит | Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
MR2A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 256К х 16 бит | Everspin Technologies |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS64WV3216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 | ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
MR4A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | - |
|
IS64WV102416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
|
IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
|
MR256A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит | Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS64WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|