Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
TC58DVG02A3TA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
|
TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58NVM9S3CTA00 | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации | Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 |
|
|
M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M440T1MV | Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
1024 | 32 | 3 ... 3.6 | -15 ... 75 |
|
|
M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
M48Z129V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48T35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCDIP-28 SOH-28 |
|
M48Z512AV | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M48Z12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48T08Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOH-28 |
|
M48Z129Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48T512Y | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z35AV | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
|
M48Z02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|