Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
M5M5W816WG-85H 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) Renesas Low Power SRAM
512 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 CSP-48
IS61VPS204818A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 ISSI High Speed SRAM
2048 18 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY62158EV30 Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) Cypress Low Power SRAM
1024 8 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-44
VFBGA-48
DS2045W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
AT25DL161 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
IS66WV25616BLL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 ISSI High Speed SRAM
256 16 2.5 ... 3.6 -40 ... 105 BGA-48
TSOPII-44
AT45DB021B 2 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® Atmel Corporation DataFlash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-28
SOIC-8
CBGA 9 (3x3)
TSOP28
K9F1G08U0B 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
IS61NLP25672 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 ISSI High Speed SRAM
256 72 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
AS7C32098A Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
128 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
DS1230W Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
IS61C1024AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 ISSI High Speed SRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
TSOPI-32
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
AT24C04B 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4К Atmel Corporation SEEPROM
4 8 1.8 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
TC58NVM9S3CBAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
BH616UV8010 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
512 16 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
BGA-48
IS64VF12836A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
128 36 2.375 ... 2.75 -40 ... 125 TQFP-100
W26010A Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 Winbond High Speed SRAM
64 16 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 SOJ-44
TSOP-44
CY7C4285V–15ASXI Синхронная FIFO организацией 64K x 18, 15 нс, -40°C...+85°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 3 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-64
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019