|
Блок-схема
Группа компонентов
IGBT
Основные параметры
| VCES,В |
1200
|
| Рабочий ток: IC,А |
15
|
| Рабочий ток: При TC,°C |
100
|
| VCE(sat),В |
1.9
|
| td(on) (тип.),нс |
32
|
| tr (тип.),нс |
47
|
| td(off) (тип.),нс |
490
|
| tf (тип.),нс |
12
|
| EON (тип.),мДж |
1.15
|
| EOFF (тип.),мДж |
0.46
|
| PD,Вт |
167
|
| FWD |
Да
|
| TA,°C |
от -55 до 175
|
| Корпус |
TO-247
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Оптимизирован для применения в схемам с высокой частотой переключения:
- Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.8 В при номинальном токе коллектора IC
- Высокая скорость переключения: малый остаточный заряд в закрытом состоянии EOFF = 27 мкДж/А
- Встроенный шунтирующий диод, рассчитанный на высокое быстродействие
- Разработан для обеспечения высокой надёжности приложений:
- Широкая зона безопасной работы (SOA)
- Способность работать на чисто индуктивную нагрузку (тестировался при 4-х кратном превышении номинального тока коллектора)
- Максимальная температура перехода: +175 ˚C
- Возможность параллельной работы нескольких транзисторов (положительный температурный коэффициент)
- Высокое входное сопротивление
- Соответствует требованиям директивы RoHS
Область применения:
- Солнечные инверторы
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Сварочные аппараты
- Высоковольтное/сильноточное медицинское оборудование
- Стабилизаторы источников питания
|
Datasheet
 FGH15T120SMD (251.3 Кб), 15.10.2014
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
