Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STV300NH02L N-channel 24V - 0.8m? - 280A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 24 - - - - 0.8 280 300 PowerSO-10
STV270N4F3 N-channel 40 V, 1.25 m?, 270 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 1.25 270 300 PowerSO-10
STV250N55F3 N-channel 55 V - 1.5 m? - 250 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 1.5 250 300 PowerSO-10
STB230NH03L N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 2.3 250 300 D2-PAK
STV240N75F3 N-channel 75 V - 2.3 m? - 240 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 75 - - - - 2.3 240 300 PowerSO-10
STE250NS10 N-channel 100V - 0.0045? - 220A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 220 500 ISOTOP
STV200N55F3 N-channel 55 V - 1.8 m? - 200 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 1.8 200 300 PowerSO-10
STE180NE10 N-channel 100V - 4.5m? - 180A - ISOTOP STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4500 180 360 ISOTOP
STH315N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STH315N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STP270N8F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 2.5 180 315 TO-220
STH270N8F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-6
STH270N8F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-2
STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STP240N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 3.2 180 - TO-220
STP315N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.7 180 - TO-220
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 87 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019