Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STB180N10F3 N-channel 100 V, 4.0 m?, 120 A STripFET™ Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 120 315 D2-PAK
STH315N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STH315N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STP270N8F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 2.5 180 315 TO-220
STH270N8F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-6
STH270N8F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-2
STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STP180N10F3 N-channel 100 V, 4.0 m?, 120 A STripFET™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.8 120 315 TO-220
STB180N10F3 N-channel 100 V, 4.0 m?, 120 A STripFET™ Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 120 315 D2-PAK
STW75NF30 N-channel 300 V, 0.037 ?, 60 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 300 - - - - 37 60 320 TO-247
STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 1800 8 320 TO-247
STB180N55F3 N-channel 55V - 3.2m? - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 2.9 120 330 D2-PAK
STI270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A I2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.5 120 330 I2PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB160N75F3 N-channel 75V - 3.5m? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 75 - - - - 3.2 120 330 D2-PAK
STI270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - I2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.5 120 330 TO-220
I2PAK
STP270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.5 120 330 TO-220
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STP270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.5 120 330 TO-220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019