Компоненты группы SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 25 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IS61NLF102418 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 6.5 500 125 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
IS65WV102416ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 25 60 200 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
IS62WV102416ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 35 30 120 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 TSOPI-48
BGA-48
IS61VF102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 6.5 375 145 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY62167EV30 Статическая память объемом 16Mb (1Mx16 / 2Mx8) Cypress Low Power SRAM
1024 16 45 2.2 1.5 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-48
A67P0618 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 18 2.6 460 80 2.375 ... 2.625 -25 ... 85 LQFP-100
IS64WV102416BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 10 140 600 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
CY62167EV18 Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) Cypress Low Power SRAM
1024 16 55 2.2 1.5 1.65 ... 2.25 -40 ... 85 VFBGA-48
IS61NVP102418 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.6 500 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
IS61WV102416ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 20 60 250 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 TSOPI-48
BGA-48
IS61LF102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 6.5 375 145 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY62167E Статическая память объемом 16Mb (1Mx16 / 2Mx8) Cypress Low Power SRAM
1024 16 45 2.2 1.5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 TSOPI-48
A67L06181 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 18 6.5 460 80 3.135 ... 3.465 -25 ... 85 LQFP-100
CY62167DV30 Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) Cypress Low Power SRAM
1024 16 45 2 2.5 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
VFBGA-48
IS61LPS102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 3.5 475 140 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY62167DV18 Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) Cypress Low Power SRAM
1024 16 55 1.5 2.5 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 VFBGA-48
BH62UV1611 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
1024 16 55 12 30 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
IS61NLP102418 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 ISSI High Speed SRAM
1024 18 2.6 500 125 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
A67L0618 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 18 2.6 460 - 3.135 ... 3.465 0 ... 70 LQFP-100
DS3065WP Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 Maxim Integrated Low Power SRAM
1024 8 100 50 - 3 ... 3.6 -40 ... 85 PowerCap-34
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 25 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019