Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61VPS25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх72 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.6 | 600 | 125 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
|
| IS61QDB41M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 5 | 500 | 200 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61C25616AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 25 | 20 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 10 | 90 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV12816BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 15 | 25 | 400 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61NLP6432A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 2Мб 64Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 32 | 2.6 | 250 | 750 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 20 | 100 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS64VF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 7.5 | 175 | 900 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| IS61NLP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.6 | 650 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS62WV25616ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 70 | 30 | 15 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61LPD51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 500 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 |
|
Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| N01L83W2A | 1 Мбит сверхмалопотребляющая асинхронная SRAM 128К х 8 бит |
|
ON Semiconductor |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 9.5 | 2 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 25 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HM62V8100-5 | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0816ABG-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M5V216ATP-70H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 70 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV1616R-7S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 70 | 25 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
