Компоненты группы SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 25 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
AS6C1008L Микропотребляющая статическая память 128К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
128 8 35 7 1 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TFBGA-36
BS616UV2019 Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
128 16 85 13 5 1.9 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
BGA-48
A63L0618 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 18 2.6 400 2 3.1 ... 3.5 -25 ... 85 LQFP-100
IS61LPS12836A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
128 36 4 250 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS7C1028 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
M5M51008D-55H 1Мб SRAM (128К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
128 8 55 39 - 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
IS61LV256AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 25 50 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IS61VF51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 ISSI High Speed SRAM
512 18 6.5 190 850 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
CY62138VN Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) Cypress Low Power SRAM
256 8 70 7 15 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-36
CY7S1061G30 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC Cypress High Speed SRAM
1024 16 10 110 30000 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-54
VFBGA-48
IS62WV6416ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 55 10 10 1.7 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS61NLP25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 2.6 250 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS6C1016 Низкопотребляющая статическая память 64К х 16 Alliance Memory Low Power SRAM
64 16 55 18 2 2.7 ... 5.5 -40 ... 85 TFBGA-48
TSOPII-44
BS616UV1010 Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
64 16 100 20 1.5 1.9 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
A63L9336 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Kх36 AMIC Technology High Speed SRAM
512 36 2.6 400 2 3.1 ... 3.5 -25 ... 85 LQFP-100
IS61NVP204818A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 ISSI High Speed SRAM
2048 18 3.5 475 110 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
M5M5256D-70 256Кб SRAM (32К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
32 8 55 25 - 3 ... 5.5 -40 ... 85 SOP-28
TSOP-28
IS61VF25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 6.5 190 850 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
CY62138FV30 Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) Cypress SRAM
Low Power SRAM
256 8 45 1.6 1 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-32
STSOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
VFBGA-36
CY7S1061G18 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC Cypress High Speed SRAM
1024 16 15 80 30000 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-54
VFBGA-48
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 25 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019