Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DS2030Y | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 256Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP621024D-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -25 ... 85 |
|
| CY7S1061G | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| DS1743 | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
| HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT7200L15SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| BS616LV4017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY62128E | Статическая память 128К х 8 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY7C4245-10AXC | Синхронная FIFO организацией 4K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
| IDT71256SA | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT7201LA15JGI | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48Z02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| IDT7200L12TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY7C4235-15AXC | Синхронная FIFO организацией 2K x 18, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
| IDT71256L | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 5.585 |
PDIP-28 |
| IDT7201LA15SOI | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-28 |
| M48Z12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
