Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 12 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF1511NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
66 175 7.5 39 8 13 70 Да PLD--1.5W
MRFE6VP8600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
470 860 50 57.8 125 19.3 30 Да NI-1230
NI-1230S
MRF8S9100HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 50.3 72 19.3 51.6 Да NI-780S
AFT23S160W02SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.9 45 17.9 30.3 Да NI-780S-2L
MW7IC915NT1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 895 28 41.9 1.6 38 17.4 Да PQFN 8x8
AFT18S260W31SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 53.6 50 19.6 29.3 Да NI-780S-2L2LA
AFT09MS031GN Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 941 12.5 44.9 32 17.2 71 Да TO-270-2GULL
MRF8S18260HR6 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 30 54.1 74 17.9 31.6 Да NI-1230-8
MRFE6P3300HR3 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
470 860 32 54.8 270 20.4 44.8 Да NI-860C3
MRF8S9100HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 50.3 72 19.3 51.6 Да NI-780
AFT23H200-4S2LR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 53.2 45 15.3 42.8 Да NI-1230-4LS2L
MW7IC2725N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44 4 28.5 17 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
AFT18S230SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 53.2 50 19 32 Да NI-780S-6
AFT09MS031N Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 941 12.5 44.9 32 17.2 71 Да TO-270-2
MRF8S18210WGHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 30 53.2 50 17.8 29.2 Да NI-880XS-2GULL
MRF6VP3450H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
470 860 50 56.5 90 22.5 28 Да NI-1230
NI-1230S
MRF8S7235NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
728 768 28 54.1 63 20 36.1 Да OM-780-2
A2T26H160-24SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 51.4 28 16.4 48.1 Да NI-780S-4L2L
MW7IC2220N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 43 2 31 13 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
AFT18P350-4S2LR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55 63 16.4 44.5 Да NI-1230-4LS2L
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 12 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019