Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 12 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
A2I25D025GNR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WBG-17
MRF6V12500H Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1215 50 57 500 19.7 62 Да NI-780H-2L
NI-780S-2L
MRF8S9170NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 52.5 50 19.3 36.5 Да OM-780-2
AFT26H160-4S4R3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 50 32 14.9 45.7 Да NI-880XS-4L4S
MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 26 50.5 100 33.5 54 Да TO-272WB-14
AFT20P140-4WNR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2025 28 51.1 24 17.6 46.2 Да OM-780-4L
MRF1517NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 136 520 7.5 39 8 14 70 Да PLD--1.5W
A2I25D025NR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WB-17
MRF6V12250H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1215 50 54.4 275 20.3 65.5 Да NI-780
NI-780S
MRF8S9120NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 50.8 33 19.8 34.2 Да OM-780-2
AFT23S170-13SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2300 2400 28 51.7 45 18.8 33.9 Да NI-780S-2L4S
MWE6IC9080N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 49.5 80 28.5 52.3 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
AFT18S290-13SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 1995 28 54.2 63 18.2 31.2 Да NI-880XS-2L4S
MRF1513NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 136 520 7.5 34.8 3 15 65 Да PLD--1.5W
MRF8S18260HSR6 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 1880 30 54.1 74 17.9 31.6 Да NI-1230S-8
MRF6V10010NR4 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1400 50 40 10 25 69 Да PLD--1.5W
MRF8S9102NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 50 28 23.1 36.4 Да OM-780-2
AFT23S160W02GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2300 2400 28 51.9 45 17.9 30.3 Да NI-780GS-2L
MW7IC930N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 44.9 3.2 35.9 16.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
AFT18S260W31GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 1995 28 53.6 50 19.6 29.3 Да NI-780GS-2L2LA
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 12 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники