Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 12 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF8P29300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2700 2900 30 55.1 320 13.3 50.5 Да NI-1230
NI-1230S
MW7IC2725N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44 4 28.5 17 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MD7IC2755N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44.8 10 25 25 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MRF8P26080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780S-4
MRF8P26080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780-4
MRF7S27130HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 51.1 23 16.5 20 Да NI-780S
MRF7S27130HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 51.1 23 16.5 20 Да NI-780
AFT26H160-4S4R3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 50 32 14.9 45.7 Да NI-880XS-4L4S
A2T26H160-24SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 51.4 28 16.4 48.1 Да NI-780S-4L2L
AFT26P100-4WGSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780GS-4L
AFT26P100-4WSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780S-4L
AFT26H050W26SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780S-4L4L
AFT26HW050GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780GS-4L4L
AFT26HW050SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780S-4L4S
AFT26H250-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4L2L
AFT26H250W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4S
AFT26H200W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53 45 14.1 45.2 Да NI-1230S-4S
MHT2000N Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WBG-16
MHT1001HR5 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230H-4S
MHT1000HR5 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 51.5 140 13.2 45 Да NI-880H-2L
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 12 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019