+ MRF8S9100HSR3, Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MRF8S9100HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

 

Блок-схема

MRF8S9100HSR3, Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 920
Тактовая частота: F (макс.),МГц 960
VDS,В 28
P1dB,дБм 50.3
POUT,Вт 72
Gain (тип.),дБ 19.3
µD,% 51.6
Согласованный Да
Корпус NI-780S

Общее описание
Datasheet
 
MRF8S9100 (484.5 Кб), 25.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MRF8S9100 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) (484.5 Кб), 25.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 340 		Дата публикации: 25.05.2015 16:12
Дата редактирования: 25.05.2015 16:13

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники