Компоненты группы Микросхемы
Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCC В |
TA °C |
Корпус | |
MCIMX6G3DVK05AA | Малопотребляющие, защищенные прикладные процессоры i.MX 6UL на базе ядра ARM® Cortex®-A7 с рабочей частотой до 528 МГц для коммерческих приложений | Freescale Semiconductor |
Сигнальные Процесоры |
1.15 ... 1.3 | 0 ... 95 |
|
|
AT91SAM9G15 | ARM микропроцессоры на базе ядра ARM926 высокой степени интеграции для промышленных приложений | Atmel Corporation |
ARM |
-40 ... 85 | 0.9 ... 1.1 |
|
|
AT91SAM9G25 | ARM микропроцессоры на базе ядра ARM926 высокой степени интеграции для промышленных приложений | Atmel Corporation |
ARM |
-40 ... 85 | 0.9 ... 1.1 |
|
|
AT91SAM9G35 | ARM микропроцессоры на базе ядра ARM926 высокой степени интеграции для промышленных приложений | Atmel Corporation |
ARM |
-40 ... 85 | 0.9 ... 1.1 |
|
|
AM1810-375 | ARM микропроцессор семейства Sitara | Texas Instruments |
ARM |
-40 ... 105 | 1.71 ... 3.45 |
|
|
AM1810-456 | ARM микропроцессор семейства Sitara | Texas Instruments |
ARM |
-40 ... 105 | 1.71 ... 3.45 |
|
|
SAM9X25 | Высокопроизводительные микропроцессоры на базе ядра ARM926 с широкими возможностями подключения периферийных и сетевых устройств | Atmel Corporation |
ARM |
-40 ... 85 | 1.8 ... 3.3 |
|
|
SAM9X35 | Высокопроизводительные микропроцессоры на базе ядра ARM926 с широкими возможностями подключения периферийных и сетевых устройств | Atmel Corporation |
ARM |
-40 ... 85 | 1.8 ... 3.3 |
|
|
IDT71T016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 2.375 ... 2.625 |
|
|
IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71024S | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71124 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
-40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
ADNB-6532 | Набор для лазерной мыши: лазерный датчик ADNS-6530 + миниатюрная линза ADNS-6150 | Broadcom Limited |
Лазерные Датчики |
2.7 ... 3.6 | 5 ... 40 |
|