Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| GS74108A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512K x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61LPD51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 500 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| A63P9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 400 | 2 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IS61NLP51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 8Мб 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.6 | 280 | 800 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61VPD51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 500 | 125 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| A63L9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Kх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 400 | 2 | 3.1 ... 3.5 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LPS51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 600 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 90 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| A63L93361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Kх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 6.5 | 400 | 2 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IS61VPS51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 600 | 125 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| A67P93181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 6.5 | - | - | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LV256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 25 | 50 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 6.5 | 190 | 850 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 165 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IS61C25616AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 25 | 20 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61VF25636A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 6.5 | 190 | 850 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| AS7C1028 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C25616AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 12 | 50 | 300 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
