Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IS61LF6436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх36 ISSI High Speed SRAM
64 36 8.5 150 75 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 TQFP-100
IS61NVF51236 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 ISSI High Speed SRAM
512 36 6.5 500 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
A67P93361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
512 36 6.5 - - 2.375 ... 2.625 0 ... 70 LQFP-100
IS61NLP6436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 2Мб 64Кх36 ISSI High Speed SRAM
64 36 2.6 250 750 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
IS61VPD25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 2.6 275 105 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
A67P9336 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
512 36 2.6 460 80 2.375 ... 2.625 -25 ... 85 LQFP-100
IS61NLF51236 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 ISSI High Speed SRAM
512 36 6.5 500 125 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
IS61VPS25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 2.6 275 105 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
IS61VF102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 6.5 375 145 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
IS64LPS25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 3.5 300 130 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
A67L93361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
512 36 6.5 460 80 3.135 ... 3.465 -25 ... 85 LQFP-100
IS61LF102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 6.5 375 145 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY7C4142KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1875 4500 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
IS61NVP51236 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 ISSI High Speed SRAM
512 36 2.6 500 125 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
IS61LPS25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 2.6 300 105 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
A67L9336 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
512 36 2.6 460 - 3.135 ... 3.465 0 ... 70 LQFP-100
IS61LPS102436A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 ISSI High Speed SRAM
1024 36 3.5 475 140 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 3 3200 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
IS61NLP51236 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 ISSI High Speed SRAM
512 36 2.6 500 125 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
BGA-209
PBGA-165
CY7C4042KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
2048 36 1.875 4500 - 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019