Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
| IPD30N06S4L-23 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 27 | 18 | 30 | 36 |
TO-252 |
| IPB107N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 9.6 | 88 | 300 |
TO-263-3 |
| BSC016N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.6 | 100 | 139 |
|
| IPP80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 32 |
TO-220 |
| IPA60R190C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 20.2 | 34 |
TO-220F |
| IPB45N06S4-09 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 7.6 | 45 | 71 |
TO-263-3 |
| BSC060N10NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 100 В, 90 А, 6.0 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 6 | 90 | 125 |
|
| IPD80R2K8CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 6 | 42 |
TO-252 |
| IPB60R950C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 860 | 4.4 | 37 |
|
| IPP80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8.3 | 5.9 | -80 | 88 |
TO-220 |
| IPD50R950CE | 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 950 | 12.8 | 34 |
TO-252 |
| IRF7780MTRPBF | N-канальный MOSFET-транзистор семейства StrongIRFET™ в корпусе DirectFET® |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 5.7 | 89 | 96 |
|
| IPD50R500CE | 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 500 | 24 | 57 |
TO-252 |
| IPP60R180C7 | N-канальный MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 180 | 13 | 68 |
TO-220 |
| IPD088N04L | N-канальный, 40 В, мощный MOSFET серии OptiMOS®3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 10.1 | 7.3 | 50 | 47 |
TO-252 |
| IPB120N06S4-03 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.3 | 120 | 167 |
TO-263-3 |
| BUZ32H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 300 | 9.5 | 75 |
TO-263-3 |
| IPT004N03L | NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 30В, 300А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 0.5 | 0.4 | 300 | 300 |
|
| IPW80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 101 |
|
