Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTK120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -120 | 1040 |
|
|
IXFX64N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 | 64 | 1040 |
|
|
IXFK64N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 | 64 | 1040 |
|
|
IXFT50N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 50 | 1040 |
|
|
IXFN320N17T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 170 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 260 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFN360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 310 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFN300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 295 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFN210N20P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 10.5 | 188 | 1070 |
|
|
IXFN420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 420 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFN230N20T | N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 220 | 1090 |
SOT-227 |
|
IXFX78N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 68 | 68 | 68 | 68 | 68 | 78 | 1130 |
|
|
IXFK78N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 68 | 68 | 68 | 68 | 68 | 78 | 1130 |
|
|
IXFK64N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 95 | 95 | 95 | 95 | 95 | 65 | 1130 |
|
|
IXFX64N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 95 | 95 | 95 | 95 | 95 | 65 | 1130 |
|
|
IXFN50N80Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | 50 | 1135 |
|
|
19MT050XF | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 4 | 500 | - | - | - | - | 210 | 31 | 1140 |
|
|
IXFK170N20T | N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 170 | 1150 |
|
|
IXFX170N20T | N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 170 | 1150 |
|
|
STAC4932B | N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | - | 0.001 | 1200 |
|
|
IXFX44N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 190 | 190 | 190 | 190 | 190 | 44 | 1200 |
|