Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFX170N20T N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXFX170N20T, N-канальный силовойGigaMOS MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 200
RDS(ON) 1.8 В,мОм 11
RDS(ON) 2,7 В,мОм 11
RDS(ON) 2,5 В,мОм 11
RDS(ON) 4.5 В,мОм 11
RDS(ON) 10 В,мОм 11
ID,А 170
PD,Вт 1150
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXFx170N20T (123.4 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор (123.4 Кб), 20.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 568 		Дата публикации: 20.01.2012 11:55
Дата редактирования: 20.01.2012 11:57

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники