+ STAC4932B, N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор
 

STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор

 

Блок-схема

STAC4932B, N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 250
ID 0.001
PD,Вт 1200
Корпус STAC244B

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Превосходная термостойкость
  • Двухтактная конфигурация с общим истоком
  • Выходная мощность 1000 Вт (мин.) / 1200 Вт (тип.) с коэффициентом усиления 26 дБ на частоте 123 МГц
  • Соответствует требования директивы Европейской Комиссии 2002/95/EC
  • Корпус с воздушной полостью по технологии корпусирования STAC® компании STMicroelectronics
Datasheet
 
STAC4932B (289.5 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STAC4932B N-канальный радиочастотный силовой MOSFET-транзистор (289.5 Кб), 20.01.2012

Связанные документы

По фирмам
STAC4932B Рекомендации по монтажу керамических корпусов радиочастотных DMOS транзисторов (47.9 Кб), 20.01.2012

STAC4932B Рекомендации по монтажу корпусов STAC® с винтовым креплением (930.7 Кб), 20.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1422
Дата публикации: 20.01.2012 10:00
Дата редактирования: 20.01.2012 10:32


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019