Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFI720GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 1800 2.6 30 TO-220F
IRFSL3306PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 4.2 75 230 TO-262
STD6NF10 N-channel 100 V, 0.22 ?, 6 A, DPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 220 6 30 D-PAK
STFW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 1100 2.5 0 TO-3PF
FA57SA50LC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 80 57 625 SOT-227
FQU2N90 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 5600 1.7 50 I-PAK
STU95N2LH5 N-channel 25 V, 0.0038 ?, 80 A - IPAK STripFET™ V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 25 - - - - 4.4 80 70 I-PAK
STB8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 900 8 100 D2-PAK
FDMS86181 N-канальный MOSFET транзистор на 100 В / 124 А и экранированным затвором, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 4.2 124 125 Power 56
FDB3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36m? Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 32 32 95 TO-263
IPP023NE7N3G OptiMOS™ 3 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 75 - - - - 2.1 120 300 TO-220-3 ISO
STF23NM60ND N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-220FP FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 150 20 35 TO-220FP
TSM4N90CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 900 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 4000 4 123 TO-220
IRFI9610GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 3000 2 27 TO-220F
IRF5210L HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 100 - - - - 60 38 200 TO-262
FDD3N40 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 2800 2 30 D-PAK
2N4416A N-CHANNEL J-FET Microsemi MOSFET
N 1 -35 - - - - - 10 0.3 TO-72
STP20NM60FP N-channel 600V - 0.25? - 20A - TO-220FP MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 250 20 45 TO-220FP
IRFP32N50KPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 135 32 460 TO-247AC
IRFZ44ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 13.9 51 80 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019