Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTQ50N28T | N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 280 | 66 | 66 | 66 | 66 | 66 | 50 | 340 |
|
|
IXTQ30N60L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 30 | 540 |
|
|
IXTQ96N20P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 96 | 600 |
|
|
IXFQ14N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 720 | 720 | 720 | 720 | 720 | 14 | 400 |
|
|
IXTQ42N25P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 84 | 84 | 84 | 84 | 84 | 42 | 300 |
|
|
IXTQ44N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 44 | 650 |
|
|
IXTQ110N055P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 13.5 | 13.5 | 13.5 | 13.5 | 13.5 | 110 | 390 |
|
|
IXTQ180N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 6.4 | 180 | 480 |
|
|
IXTQ10P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
|
IXTQ140N10P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 140 | 600 |
|
|
FQA13N50CF | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 430 | 15 | 218 |
|
|
IXTQ40N50Q | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | 40 | 500 |
|
|
TK100L60W | Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 600 В | Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 15 | 100 | 797 |
|
|
IXTQ230N085T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 4.4 | 4.4 | 4.4 | 4.4 | 4.4 | 230 | 550 |
|
|
IXTQ76N25T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 39 | 39 | 39 | 39 | 39 | 76 | 460 |
|
|
IXTQ88N30P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 | 88 | 600 |
|
|
IXFQ60N50P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 60 | 1040 |
|
|
FDA16N50 | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 310 | 16.5 | 205 |
|
|
IXTQ64N25P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 49 | 49 | 49 | 49 | 49 | 64 | 400 |
|
|
FCA16N60 | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 220 | 16 | 167 |
|