Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTP1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-220
IXTA1R4N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 13000 13000 13000 13000 13000 1.4 86 TO-263
STN1NK60Z N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 13000 0.3 3.3 SOT-223-4
2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 13500 0.115 0.2 SOT-323
2N7002VAC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
2N7002VC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
2N7002VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
2N7002V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 13500 0.28 0.15 SOT-563
ZVP3306A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -60 - - - - 14000 -0.16 0.625 TO-92
CPC5603 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 415 14000 14000 14000 14000 14000 0.13 2.5 SOT-223-4
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
IXTY1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-252
IXTU1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-251
IXTP1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-220
BS250P P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 14000 -0.23 0.7 TO-92
IXTA1N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 14000 14000 14000 14000 14000 1 42 TO-263
ZVP3306F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -60 - - - - 14000 -0.09 0.33 SOT-23-3
IXTP1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-220
IXTY1N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 15000 15000 15000 15000 15000 1 50 TO-252
BSP225 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 250 - - - - 15000 0.225 1.5 SOT-223-4




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019