Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
DMP22D6UT P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
Si1024X Dual N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.25 SC89-6
Si1012X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.25 SC89-3
Si1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.15 SC75A
IXFH15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
IXFK15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-264AA
IXFT15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXFT15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXFH15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
IXFX15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 PLUS247
IXFH18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-247
IXFT18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-268
IXFR18N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 660 660 660 660 660 10.5 200 ISOPLUS247
BSH203 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 30 1100 - 920 660 - 0.47 0.417 SOT-23-3
IXFT16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-268
IXFK16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-264AA
IXFH16N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 650 650 650 650 650 16 360 TO-247AD
IXFC16N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 650 650 650 650 650 9 150 ISOPLUS220
IXFC15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 650 650 650 650 650 13 230 ISOPLUS220
FQPF9N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - 650 - 9 44 TO-220F
Страницы: предыдущая 1 ... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники