Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTV280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
IXTQ280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
IXTH280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 280 | 550 |
|
|
NVMFS5C604NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1.7 | 1.2 | 287 | 200 |
|
|
NTMFS5C604NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1.7 | 1.2 | 287 | 200 |
|
|
FDMT80060DC | N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 60 В, 292 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.1 | 292 | 156 |
|
|
IRFS3006-7PPbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.5 | 293 | 375 |
D2-PAK-7 |
|
IXFN300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 295 | 1070 |
SOT-227 |
|
IPT020N10N3 | NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 100В, 300А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2 | 300 | 375 |
|
|
BSH121 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3100 | - | 2400 | 2300 | - | 300 | 0.7 |
SOT-323 |
|
IPT007N06N | NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 60В, 300А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 0.75 | 300 | 375 |
|
|
IRLS3036-7PPbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1.7 | 1.5 | 300 | 380 |
D2-PAK-7 |
|
BSH112 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3800 | 2800 | 300 | 0.83 |
SOT-23-3 |
|
IPT004N03L | NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 30В, 300А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 0.5 | 0.4 | 300 | 300 |
|
|
2N7002T | N-channel TrenchMOS FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3800 | 2800 | 300 | 0.83 |
SOT-23-3 |
|
PMBF170 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3800 | 2800 | 300 | 0.83 |
SOT-23-3 |
|
IXFB300N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 300 | 1500 |
|
|
IXTH300N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 300 | 480 |
|
|
IXTA300N04T2-7 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 300 | 480 |
TO-263-7 |
|
IXTP300N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 300 | 480 |
TO-220 |