Блок-схема
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
Полярность |
N
|
Каналов,шт |
1
|
VDS,В |
100
|
RDS(ON) 10 В,мОм |
2
|
ID,А |
300
|
PD,Вт |
375
|
Корпус |
HSOF-8-1
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- N-канальный полевой транзистор
- Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
- Превосходное показатель добротности FOM (QG х RDS(ON))
- Максимальная рабочая температура _175°C
- Низкая паразитная индуктивность корпуса
- Минимальная утечка электронов за счет большой площади контактов
- Идеально подходит для схем высокочастотной коммутации и синхронного выпрямления
- Не содержит галогенов в соответствии с требованиями стандарта IEC61249-2-21
Преимущества:
- Высокая эффективность и низкая стоимость конечного решения
- Меньший размер теплоотводящих элементов, отсутствие необходимости параллельного включения большого числа транзисторов для увеличения нагрузочной способности
- Компактный корпус
- Высочайшая надёжность вследствие пониженного уровня электромагнитного излучения
Инструментальные средства разработки:
- Оценочная плата DEMO5KWMCTOLEADLESSTOBO1
- Оценочная плата мощностью 5 кВт представляет собой схему инвертора для управления мощными двигателями, применяемыми в низкоскоростных электрокарах и электропогрузчиках с напряжением питания 48 В. Данное решение демонстрирует высокую производительность семейства силовых MOSFET-транзисторов OptiMOS™, выполненных в новых безвыводных корпусах TO. При этом особо подчёркивается отсутствие необходимости параллелизации нескольких транзисторов для увеличения нагрузочной способности схемы и оптимальный тепловой режим приборов.
|
Datasheet
IPT020N10N3 (1.2 Мб), 07.04.2014
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|