Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFB300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFB300N10P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 5.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 5.5
RDS(ON) 2,5 В,мОм 5.5
RDS(ON) 4.5 В,мОм 5.5
RDS(ON) 10 В,мОм 5.5
ID,А 300
PD,Вт 1500
Корпус PLUS264

Общее описание
Datasheet
 
IXFB300N10P (128.5 Кб), 05.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFB300N10P Polar Power MOSFET HiperFET (128.5 Кб), 05.02.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1235 Дата публикации: 05.02.2009 15:22
Дата редактирования: 10.01.2012 08:49

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники