Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFN30N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 360 | 360 | 360 | 360 | 360 | 25 | 1000 |
|
|
IXFR30N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 400 | 400 | 400 | 400 | 400 | 16 | 320 |
|
|
IXFT12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXTN22N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 | 22 | 700 |
|
|
IXTA05N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.5 | 50 |
|
|
IXTA6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
IXFH12N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 463 |
|
|
IXFB44N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 44 | 1560 |
|
|
IXFN38N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 210 | 210 | 210 | 210 | 210 | 38 | 1000 |
|
|
IXTP05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
TO-220 |
|
IXFH12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXTX22N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 600 | 600 | 600 | 600 | 600 | 22 | 600 |
|
|
IXTP3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
TO-220AB |
|
IXFR20N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 640 | 640 | 640 | 640 | 640 | 11 | 230 |
|
|
IXFN44N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 38 | 960 |
|
|
IXFN38N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | 38 | 890 |
|
|
IXTA3N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 3 | 125 |
|
|
IXFV10N100PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|
|
IXFX32N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 320 | 320 | 320 | 320 | 320 | 32 | 1250 |
|
|
IXFB38N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | 38 | 890 |
|