Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFV12N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 12 | 543 |
|
|
SCT30N120 | Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | - | - | - | - | 80 | 45 | 270 |
|
|
IXTY02N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 75000 | 75000 | 75000 | 75000 | 75000 | 0.2 | 33 |
TO-252 |
|
IXFH12N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 12 | 543 |
|
|
IXTH12N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 12 | 500 |
|
|
IXFR16N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1040 | 1040 | 1040 | 1040 | 1040 | 9 | 230 |
|
|
IXTT6N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 6 | 300 |
|
|
IXFP3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXTH6N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 6 | 300 |
|
|
IXFA3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
IXTH3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 150 |
|
|
IXTP3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXFN22N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 550 | 550 | 550 | 550 | 550 | 25 | 625 |
|
|
IXTA3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
IXFK20N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 | 20 | 780 |
|
|
SCT10N120 | Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | - | - | - | - | 690 | 12 | 150 |
|
|
IXTP2R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2.4 | 125 |
TO-220 |
|
IXFX20N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 | 20 | 780 |
|
|
IXTH2R4N120P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 7500 | 2.4 | 125 |
|
|
IXFN20N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 | 20 | 780 |
|