IXTP3N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения

 

Блок-схема

IXTP3N100D2, N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 6000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 6000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 6000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 6000
RDS(ON) 10 В,мОм 6000
ID 3
PD,Вт 125
Корпус TO-220AB
Datasheet
 
IXTx3N100D2 (167.5 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx3N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения (167.5 Кб), 23.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 529
Дата публикации: 23.01.2012 08:23
Дата редактирования: 23.01.2012 08:23


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019