IXFB44N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFB44N100Q3, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 220
RDS(ON) 2,7 В,мОм 220
RDS(ON) 2,5 В,мОм 220
RDS(ON) 4.5 В,мОм 220
RDS(ON) 10 В,мОм 220
ID 44
PD,Вт 1560
Корпус PLUS264

Общее описание

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFB44N100Q3 (142 Кб), 17.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFB44N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (142 Кб), 17.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1021
Дата публикации: 17.01.2012 09:49
Дата редактирования: 17.01.2012 09:52


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019