+ SCT30N120, Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

SCT30N120 Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм

 

Блок-схема

SCT30N120, Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 1200
RDS(ON) 10 В,мОм 80
ID,А 45
PD,Вт 270
Корпус HiP-247

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Слабое изменение сопротивления открытого канала и потерь на переключение от температуры
  • Максимальная рабочая температура перехода TJ: 200°C
  • Малая паразитная ёмкость

Область применения:

  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания
  • Схемы управления двигателями
  • Высоковольтные преобразователи постоянного напряжения
  • Импульсные источники питания
Datasheet
 
SCT30N120 (738.7 Кб), 31.10.2013

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

SCT30N120 Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм (738.7 Кб), 31.10.2013



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1457 		Дата публикации: 31.10.2013 10:27
Дата редактирования: 31.10.2013 10:29

подписка на новости

Подпишись на новости!




Мероприятия:





SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники