+ SCT10N120, Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

SCT10N120 Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А

 

Блок-схема

SCT10N120, Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 1200
RDS(ON) 10 В,мОм 690
ID,А 12
PD,Вт 150
Корпус HiP-247

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение сток-исток VDSS: 1200 В
  • Максимальный постоянный ток стока ID: 10 А (при температура корпуса TC +100°C); 12 А (при температура корпуса TC +25°C)
  • Напряжение затвор-исток VGS: от -10 В до 25 В
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON): 520 мОм (тип.) при температуре перехода TJ = 100°C
  • Заряд затвора QG: 22 нКл (тип.)
  • Малое изменение сопротивления открытого канала RDS(ON) от температуры
  • Слабая зависимость потерь переключения от температуры
  • Сверхбыстродействующий и надежный внутренний диод на подложке
  • Низкая емкость
  • Чрезвычайно широкий рабочий диапазон температур перехода TJ: от -55°C до +200°C
  • Корпус HiP247™

Область применения:

  • Инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания
  • Схемы управления электродвигателями
  • Высоковольтные преобразователи постоянного напряжения
  • Импульсные источники питания
Datasheet
 
SCT10N120 (786.1 Кб), 23.11.2016

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

SCT10N120 Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А (786.1 Кб), 23.11.2016

Связанные документы

Новые компоненты
STMicroelectronics: SCT10N120 — силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А и сопротивлением открытого канала 520 мОм Данный транзистор произведен с использованием улучшенных инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной (3.8 Кб), 23.11.2016



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 979 		Дата публикации: 23.11.2016 09:52
Дата редактирования: 23.11.2016 09:59

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники