Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M48Z32V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| HY27UF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| IDT72V85L20PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9 бит х 2, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
| A63P0636 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| CY7C4121KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
8192 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IDT7201LA15J | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
| DS1254Y | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| A67L93181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| M48Z2M1Y | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| HY27UF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 ULGA-52 |
| IDT72V85L15PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9 бит х 2, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
| CY7C4042KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4205-15AXC | Синхронная FIFO организацией 256 x 18, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
| IDT7201LA15SO | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| MT29H16G08 | 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
VBGA-100 |
| IDT72V01L15J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48Z2M1V | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| HY27UF162G2A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
