Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
IDT72V01L35J 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
A67P8336 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 256Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
256 36 2.375 ... 2.625 0 ... 70 LQFP-100
M48Z35Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
HY27UF084G2B 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
IDT7200L12J Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLCC-32
CY7C4122KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
8192 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4225-15AXC Синхронная FIFO организацией 1K x 18, 15 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 4.5 ... 5.5 0 ... 70 TQFP-64
IDT7201LA15P Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PDIP-28
M48T02 Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
2 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-24
A67P9318 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 AMIC Technology High Speed SRAM
512 18 2.375 ... 2.625 0 ... 70 LQFP-100
M48Z35 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
HY27UG162G5A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
IDT7200L12SO Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOIC-28
A63L93361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Kх36 AMIC Technology High Speed SRAM
512 36 3.135 ... 3.465 0 ... 70 LQFP-100
CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
HT93LC86 CMOS 3-проводная SEEPROM с интерфейсом Microwire объемом 16К Holtek SEEPROM
16 8 2.2 ... 5.5 0 ... 70 DIP-8
TSSOP-8
SOP-8
IDT7201LA15TP Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SDIP-28
DS1254W Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3 ... 3.7 0 ... 70 BGA-168
IDT72V01L25J 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 25 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
A67L83361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 256Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
256 36 3.135 ... 3.465 0 ... 70 LQFP-100
Страницы: предыдущая 1 ... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019