+ IS61NVP51218A, Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 8Мб 512Кх18
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IS61NVP51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 8Мб 512Кх18

 

Блок-схема

IS61NVP51218A, Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 8Мб 512Кх18
Увеличить

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 18
Время
выборки,нс		 2.6
Ток потребления: ICC,мА 280
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 800
VCC,В от 2.375 до 2.75
TA,°C от -40 до 85
Корпус TQFP-100 PBGA-119 PBGA-165
Datasheet
 
IS61NLP25636A, IS61NVP25636A, IS61NLP51218A, IS61NVP51218A (448.3 Кб), 29.04.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IS61NLP25636A, IS61NVP25636A, IS61NLP51218A, IS61NVP51218A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 256Kx36 и 512Kx18 (448.3 Кб), 29.04.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 866 		Дата публикации: 29.04.2008 13:12
Дата редактирования: 19.01.2009 11:16

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники