Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
TC58NVG1S3CTA00 | 256М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
CY7C4265–10ASXC | Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
|
A67L9336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх36 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
M48Z02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
HY27US161G1M | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |
|
IDT72V06L35J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 16K x 9, 35 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
DS1742W | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
MOD-24 |
|
IDT7200L20TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
CY7C4271-15AXC | Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
A67L0618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 | AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
|
M48Z12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
HY27US081G1M | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |
|
IDT71T016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В | IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 2.375 ... 2.625 |
|
|
IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|