Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| S30ML512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
| IDT72V01L25JI | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| NAND08GW3B2C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| CYF0036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| M25P16 | 16 Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
DIP-8 SOIC-16-Wide SOIC-8 |
| HY27UG162G5A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 |
| IDT7200L12SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| KFG1G16U2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DF081A | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| CY7C4225-10AXI | Синхронная FIFO организацией 1K x 18, 10 нс, -40°C...+85°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TQFP-64 |
| K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IDT7201LA15TP | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 3 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| IDT72V01L25J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 25 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| NAND08GR3B2C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
| CYF1072V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| HY27UF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| IDT72V85L20PA | Сдвоенная 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9 бит х 2, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSSOP-56 |
