Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M25PX32 | 32Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-16-Wide SOIC-8 |
| N25Q128A13 | 3В, 128 Мб SPI-Flash память |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| R1LV0414D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0416D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| R1LV0416D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| R1LV0414D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| MT29F4G08AAA | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| HY27UF084G2M | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| K9F4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| K9G4G08B0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.5 ... 2.9 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| AT45DCB004D | 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
32768 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT45DCB004C | 4 МB, 2.7В DataFlash® Cards с последовательным интерфейсом |
|
Atmel Corporation |
Flash Card |
32768 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT25DF041A | 4 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
