+ AT25DF081A, 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

AT25DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт

 

Блок-схема

AT25DF081A, 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 8
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 4
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 100
VCC,В от 2.7 до 3.6
ICC(READ),мА 17
ICC(WRITE),мА 10
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 SOIC (EIAJ) 8 UDFN-8

Общее описание

AT25DF081A - FLASH-память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе крупносерийных пользовательских приложений с теневым хранением программного кода (хранится во FLASH-памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081A реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительную EEPROM для хранения данных.

Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных устройств, сочетающих функции хранения данных и программного кода. Благодаря этому, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули программного кода и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные FLASH-памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.

Отличительные особенности

  • Единое напряжение питания от 2.7 В до 3.6 В
  • Последовательный SPI-совместимый интерфейс
    • Поддержка режимов 0 и 3 интерфейса SPI
    • Поддержка интерфейса RapidS
    • Функция записи/чтения двух бит за один такт
  • Высокая рабочая частота
    • 100 МГц в режиме интерфейса RapidS
    • 85 МГц в режиме интерфейса SPI
    • Время установки уровня выходного сигнала (Clock-to-Output) tV не более 5 нс
  • Гибкая, оптимизированная под задачи хранения данные + программный код, функция стирания
    • Стирание блоком по 4 Кбайт
    • Стирание блоком по 32 Кбайт
    • Стирание блоком по 64 Кбайт
    • Стирание всей памяти
  • Индивидуальная защита сектора от записи/стирания с функций глобальной установки/снятия защиты
    • 16 секторов по 64 Кбайт каждый
  • Аппаратно управляемая блокировка защищенных секторов посредством вывода WP
  • Функция последовательной блокировки (Lockdown) секторов
    • Переводит любую комбинацию секторов по 64 Кбайт в постоянное состояние "только чтение"
  • 128-байтный однократно программируемый (OTP) регистр защиты
  • Гибкая функция записи
    • Побайтовая или постраничная запись (от 1 до 256 байт)
  • Высокая скорость записи и стирания
    • Типовое время записи страницы (256 байт): 1 мс
    • Типовое время стирания блока по 4 Кбайт: 50 мс
    • Типовое время стирания блока по 32 Кбайт: 250 мс
    • Типовое время стирания блока по 64 Кбайт: 400 мс
  • Автоматический режим определения и сигнализации ошибок записи/стирания
  • Программно управляемый сброс
  • Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
  • Малая мощность потребления
    • Ток потребления в режиме чтения (при частоте 20 МГц): 5 мА (тип.)
    • Ток потребления в режиме глубоко пониженного потребления (Deep Power-Down): 5 мкА (тип.)
  • Износостойкость: 100.000 циклов запись/стирание
  • Срок хранения данных: 20 лет
  • Поддерживает полный диапазон промышленных температур (-40...+85°C)
  • Промышленно стандартные "зеленые" (не содержат свинца и галогенов, отвечают требованиям RoHS) корпуса
    • 8-выводные SOIC шириной 150 mil (стандарт JEDEC) и 208 mil (стандарт EIAJ)
    • Безвыводной, с 8-ю контактными площадками UDFN (5 х 6 х 0.6 мм)
Datasheet
 
AT25DF081A (1 Мб), 25.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT25DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В (1 Мб), 25.12.2012



Автор документа: Варламов, http://www.rtcs.ru
 Кол-во просмотров: 5442 		Дата публикации: 18.04.2008 10:02
Дата редактирования: 26.12.2012 09:10

подписка на новости

Подпишись на новости!




Мероприятия:





SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники